去绕镀技术研发的目标是用于在TOPCon电池生产中去除正面绕镀的多晶硅。

1.可实现多晶硅绕镀区域去除干净，露出扩硼区域，扩硼面无色差，提升电池外观良率，以及有利于后续正面良好钝化，提升电池效率；

2.可实现扩硼区域PN结保护良好，电池效率不受影响；

3.碱处理工艺，无氮排放，对环境友好。